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SCT2160KEC中文资料

SCT2160KEC图片

SCT2160KEC外观图

  • 大小：884KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：208 毫欧 @ 7A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）：+22V，-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1200 pF @ 800 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：165W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247
  • 封装/外壳：TO-247-3

SCT2160KEC供应商

更新时间:2023-01-14 02:58:27
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